مولکولی مدارات: تیم بین المللی می شکند یک دیود یک مقاومت الکترونیک

یک تیم بین المللی با روابط UCF و ترک خورده است و یک چالش است که می تواند نوید بخش دوره جدیدی از ultra-high-density محاسبات.

برای سال مهندسین و دانشمندان در سراسر جهان تلاش کرده اند را کوچکتر و سریعتر الکترونیک. اما قدرت مورد نیاز برای طراحی امروز تمایل به بیش از حد گرم و سرخ مدارهای. مدارات به طور کلی ساخته شده و با اتصال یک دیود سوئیچ در سری با حافظه یک عنصر به نام یک دیود یک مقاومت. اما این روش نیاز به بزرگ افت ولتاژ در سراسر دستگاه که ترجمه را به قدرت بالا و مانع کاهش مدارات فراتر از یک نقطه خاص به عنوان دو مدار جداگانه عناصر مورد نیاز هستند. بسیاری از تیم ها در حال کار بر روی ترکیب دیود و مقاومت به یک دستگاه واحد.

این یک سوئیچ مولکولی هستند گزینه های زیادی, اما آنها بیش از حد محدود شده است به انجام تنها یک تابع و حتی پس از آن آنها اغلب مملو از مشکلات از جمله بی ثبات ولتاژ الکتریکی واریانس و محدود دوره.

این تیم بین المللی به رهبری مسیحی Nijhuis از دانشگاه ملی سنگاپور و با همکاری نویسندگان دامین تامپسون در دانشگاه لیمریک و انریکه del Barco دانشگاه مرکزی فلوریدا ساخته شده است دستیابی به موفقیت دقیق در ژوئن 1 در مجله کارشناسی طبیعت مواد.

این تیم ایجاد یک نوع جدید از سوئیچ مولکولی است که با این نسخهها کار به عنوان یک دیود و یک حافظه عنصر. دستگاه 2 نانومتر ضخامت طول یک تک مولکول (10,000 بار کوچکتر از عرض مو) و تنها نیاز به یک کم درایو ولتاژ کمتر از 1 ولت.

"این جامعه است که به سرعت در حال پیشروی در شناسایی رمان الکترونیکی دستگاه های کاربردی در مقیاس مولکولی می گوید:" Del Barco, یک استاد که دارای تخصص در فیزیک کوانتوم. "این کار ممکن است کمک به سرعت توسعه فن آوری های جدید شامل سیناپس مصنوعی و شبکه های عصبی."

Nijhuis که متخصص در شیمی رهبری تیم است. دامین تامپسون از دانشگاه لیمریک ارائه محاسباتی نظریه تخصص و دل بارکو و تیم خود را از دانش آموزان و آزمایشگاه دانشمندان ارائه شده نظری تجزیه و تحلیل.

مولکولی سوئیچ عمل در دو مرحله ای که در آن مکانیزم تزریق شارژ تثبیت شده است با مهاجرت از یون بین مولکول ها و دستگاه سطح. ساخته شده است که ممکن است با اتصال به مولکول های جفت. با استفاده از ترکیبی از برق اندازه گیری و اتمی-مقیاس اندازه گیری هدایت مکانیک کوانتومی این تیم در بر داشت یک نقطه شیرین بین ثبات و تغییر توانایی است که به همراه داشت دو دیود+حافظه مقاومتی حافظه RAM در یک مقیاس میکروسکوپی با توجه به این مقاله است.

"هنوز هم وجود دارد برخی از چالش ها و کار بیشتر در این زمینه مورد نیاز است اما این مهم دستیابی به موفقیت" Nijhuis می گوید.

###

دیگر اعضای این تیم تحقیقاتی شامل: Yingmei هان کامرون Nickle Ziyu ژانگ هیپولیت P. A. G. Astier و Zhe وانگ از UCF, Thorin J. Duffin از دانشگاه ملی سنگاپور و Dongchen چی از دانشگاه کوئینزلند تکنولوژی بریزبن, Queensland, استرالیا است.

Del Barco پیوست UCF در سال 2005. منطقه خود را از تجربه و تخصص شامل: اساسی دمای پایین مغناطیسی و خواص حمل و نقل کم بعدی سیستم از جمله molecular nanomagnets مغناطیسی نانوساختارها و گرافن و آن 2D کریستال بستگان. Del Barco دارای چندین درجه از جمله دکترای خود را در فیزیک ماده چگال از دانشگاه بارسلونا در اسپانیا. او منتشر کرده است ده ها تن از همکار-بررسی مقالات و مکرر سخنران در کنفرانس های بین المللی.

سلب مسئولیت: AAAS و EurekAlert! مسئول صحت اخبار منتشر شده به EurekAlert! با کمک موسسات و یا برای استفاده از هر گونه اطلاعات از طریق EurekAlert سیستم.