حافظه مغناطیسی متحده برو نمایی

Spintronics پر رونق است شاخه ای از نانو الکترونیک که با بهره گیری از چرخش الکترون و مرتبط با آن گشتاور مغناطیسی علاوه بر الکترون به اتهام استفاده سنتی الکترونیک. اصلی زمان عملی مشارکت spintronics در مغناطیسی سنجش و غیر فرار مغناطیسی ذخیره سازی داده ها و پیشرفت های اضافی در حال توسعه مغناطیسی مبتنی بر پردازش و رمان انواع حافظه مغناطیسی انتظار می رود.

Spintronics دستگاه معمولا شامل مغناطیسی عناصر دستکاری شده توسط spin-polarized جریان بین پایدار مغناطیسی متحده است. زمانی که spintronic دستگاه استفاده می شود برای ذخیره سازی اطلاعات تعداد پایدار متحده مجموعه در حد بالایی در ظرفیت حافظه. در حالی که زمان تجاری مغناطیسی سلول های حافظه دارای دو ثبات مغناطیسی متحده مربوط به دو حافظه متحده وجود دارد روشن مزایای افزایش این تعداد به عنوان آن را به طور بالقوه اجازه می دهد افزایش حافظه تراکم و قادر به طراحی انواع رمان از حافظه است.

در حال حاضر یک گروه از محققان به رهبری پروفسور Lior کلاین از گروه فیزیک و پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته در Bar-Ilan دانشگاه نشان داده است که نسبتا ساده ساختار پشتیبانی می نمایی تعداد مغناطیسی متحده - بسیار بیشتر از آنچه قبلا تصور. مطالعه ساختار مغناطیسی لايه نازک طرح دار در فرم N عبور بیضی که باید دو به قدرت 2N مغناطش متحده است. علاوه بر این محققان نشان داده سوئیچینگ بین کشورهای با تولید چرخش جریان. تحقیقات خود را به نظر می رسد به عنوان یک مقاله برجسته بر روی جلد شماره ژوئن فیزیک کاربردی حروف.

توانایی برای ایجاد ثبات و کنترل نمایی تعداد گسسته مغناطیسی متحده در یک نسبتا ساده ساختار به منزله سهم عمده spintronics. "این یافته ممکن است راه را به چند سطح حافظه مغناطیسی با تعداد زیادی از کشورها در هر سلول (به عنوان مثال 256 متحده هنگامی که N=4) استفاده می شود برای neuromorphic محاسبات و بیشتر می گوید:" پروفسور کلاین که گروه تحقیقاتی شامل دکتر Shubhankar دس آریل Zaig و دکتر Moty شولتز.

###

سلب مسئولیت: AAAS و EurekAlert! مسئول صحت اخبار منتشر شده به EurekAlert! با کمک موسسات و یا برای استفاده از هر گونه اطلاعات از طریق EurekAlert سیستم.